Пример: Транспортная логистика
Я ищу:
На главную  |  Добавить в избранное  

Радиоэлектроника /

Блок памяти

←предыдущая следующая→  
1 2 

tA – время установки адреса

tp1 – время считывания (40 нс для 556РТ20);

tH1 – время удержания адреса

4. Расчет электрических параметров блока памяти.

Максимально допустимое количество объединяемых входов КI микросхем памяти определим из того, что суммарные токи нагрузки для высокого и низкого уровней сигнала и емкостная нагрузка не должны превышать значений, допустимых для выхода буферного каскада, используемого в данной цепи:

,

где IOH , IOL, COL - максимально допустимые значения токов нагрузки высокого и низкого уровней и емкости нагрузки буферного элемента, IIH, IIL, CI - входные токи высокого и низкого уровней и емкость входов, СМ - емкость монтажа.

KIПЗУ=min(76*10-3/0.25*10-3;81*10-3/40*10-6;500-20/15)=32

KОЗУ=min(76*10-3/0.2*10-3;81*10-3/4*10-6;500-20/10)=48

Так как у нас используется 20 микросхем, то условие выполняется.

Определяем максимально допустимое количество объединяемых выходов КО

,

где CLMAX - максимально допустимая емкость нагрузки выхода, CO - емкость выхода, C I , NIN - емкость и количество входов, подключенных к данному выходу, CM - емкость монтажа.

200СLMAXПЗУ>=8(20-1)+15*1+20=187

200СLMAXОЗУ>=7(20-1)+15*1+20=168

Из расчета видно что для буферизации ШД достаточно одной МС буфера К1554АП6 как для ПЗУ так и для ОЗУ.

При расчете динамических параметров разработанного блока памяти учтём тот факт, что времена задержек распространения сигнала, указаны для емкости нагрузки CL = 50 пФ. Скорректируем значения времен задержек распространения сигналов в большую сторону из расчета: - 0.07 нс/пФ.

tОЗУ=16+10+(60+118*0,07)+13=107,26 нс (в режиме записи)

tОЗУ=16+10+(60+118*0,07)+13=107,26 нс (в режиме считывания)

tПЗУ=16+10+(40+137*0,07)+13=112,39 нс

Мощность, потребляемая блоком памяти, (PCC) определяется как сумма средних мощностей, потребляемых микросхемами памяти и логики, на которых реализованы схемы управления.

PЛОГ =2PАП6+4PИД7+PЛП5+PЛН1

PЛОГ =2*80*10-6*5+4*80*10-6*5+40*10-6*5+40*10-6*5=2,8мВт

Для режима хранения получим:

PCCXP=PXPПЗУ*NПЗУ+ PXPОЗУ*NОЗУ+ PЛОГ

PCCXP=900*20+250*20+2,8=23Вт

При расчете мощности, потребляемой микросхемами памяти в режиме обращения, учтём тот факт, что в активном режиме находятся БИС только одного выбранного столбца матрицы памяти, а все остальные БИС памяти переведены в энергосберегающий режим. «Наихудший» случай когда обращение происходит к блоку ОЗУ. Тогда для этого режима работы блока памяти имеем :

PCCO=PXPПЗУ *NОЗУХР + PXРОЗУ NОЗУХР + PОЗУОБР *NОЗУОБР+PЛОГ

PCCO =20*900+18*250+2*900+2.8=23.4Вт

ГРАФИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ.

1. Функциональная схема блока памяти.

Литература

1. Ермаков А. Е., Ермакова О.П. Задание на курсовую работу с методическими указаниями по дисциплине «Схемотехника» /РГОТУПС. -М.: 1999. -10 с.

2. Ермаков А. Е., Схемотехника ЭВМ. Учебное пособие. -М.: РГОТУПС, 1997. -352 с.

3. Применение микросхем памяти в электронных устройствах: Справочник/ О. Н. Лебедев- М.: Радио и связь, 1994. -216 с.

4. Шило В. Л. Популярные цифровые микросхемы: Справочник. - Ч.: Металлургия 1989. - 352 с.

5. Петровский И. И., Прибыльский А. В., Логические ИС КР1533, КР1554: / Справочник. - М.: БИНОМ, 1993.


←предыдущая следующая→  
1 2 



Copyright © 2005—2007 «Mark5»