Министерство высшего образования РФ.
Уральский государственный университет – УПИ
Кафедра “Технология и средства связи”
Расчетно-графическая работа
Полупроводниковый диод
«КД213А»
Преподаватель: Болтаев А.В.
Студент: Черепанов К.А.
Группа: Р-207
Екатеринбург
2000
Аннотация
В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание
1. Краткая характеристика диода 4
2. Паспортные параметры: 4
2.1. Электрические 4
2.2. Предельные эксплуатационные 4
3. Вольт-амперная характеристика 5
3.1. При комнатной температуре 5
3.2. При повышенной 6
4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6
5. Определение величины TKUпрям TKIобр 6
6. Определение сопротивления базы rб 9
6.1. Приближенное 9
6.2. Точное 9
7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема 10
8. Библиографический список 10
9. Затраты времени на: 10
9.1. Информационный поиск 10
9.2. Расчеты 10
9.3. Оформление 10
Краткая характеристика диода
Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
КД213А
Рисунок 1
Паспортные параметры:
Электрические
Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В
Постоянный обратный ток при, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА
Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:
КД213А…………………………………………………………...………………………300нс
Емкость диода, не более:
при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ
при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ
Предельные эксплуатационные
Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В
Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10А
Импульсный прямой ток при tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100А
Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А
Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц
Тепловое сопротивление
переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт
переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт
Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С
Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С
Общая таблица параметров
Предельные значения параметров при Т=25˚С Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С Значения параметров при Т= 25˚С R т п-к, ˚С/Вт
I пр, ср max
А Uобр, и, п мах, В Uобр мах, В Iпрг (Iпр, уд)мах, А fмах, кГц Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА
Т˚С tи(tпр), мс Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А Iпр, и, А Uпр, и, В
10 85 200 200 100 10 100 140 1 10 0,3 1 20 0,2 1,5
Вольт-амперная характеристика
При комнатной температуре
При повышенной
Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С
Зависимость R= от Uпр
Uпр 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1
R=
0,3 0,2333333 0,16 0,1125 0,090909 0,073333
Зависимость r~ от Uпр
Uпр 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
r~ 0,1 0,0666667 0,05 0,044444 0,038462
Зависимость R= от Uобр
Uобр 50 100 150 200 250 300
R=
3571429 6666666,7 8333333 4878049 2777778 1304348
Зависимость r~ от Uобр
Uобр
50 100 150 200 250
r~ 50000000 25000000 5555556 2631579 1157407
Зависимость Cдиф от Uпр
Uпр
0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1
Сдиф 0,08 0,12 0,2 0,32 0,44 0,6
Зависимост Сб от Uобр
Определение величины TKUпрям TKIобр
Определение сопротивления базы rб
Приближенное
Точное
Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема
Библиографический список
1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.
2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил.
3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)
4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.
5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.
Затраты времени на:
a) Информационный поиск-72 часf
b) Расчеты-1час (67 мин.)
c) Оформление- 6 часов (357мин.)